RAM 속도와 CAS 대기 시간의 차이

메모리(DRAM) 성능은 속도와 대기 시간에 따라 결정됩니다. 이 두 가지는 밀접하게 관련되어 있지만, 사용자가 생각하는 방식으로 연결되어 있지는 않습니다. 기술 수준에서 속도와 대기 시간이 관련되어 있는 방법과 이 정보를 사용하여 메모리 성능을 최적화하는 방법은 다음과 같습니다.

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• 많은 사용자들이 CAS 대기 시간이 실제 대기 시간 성능의 정확한 지표라고 생각합니다
• 또한 많은 사용자들이 속도 증가에 따라 CAS 대기 시간이 증가하기 때문에 일부 속도가 무효화된다고 생각합니다

• 반도체 엔지니어는 CAS 대기 시간이 부정확한 성능 지표임을 알고 있습니다
  
• 대기 시간이란 속도와 CAS 대기 시간을 합친 것으로 나노초로 측정하는 것이 가장 정확합니다
• 속도 증가와 대기 시간 감소는 모두 시스템 성능을 향상시킵니다
   
  • 예: 나노초를 기준으로 하는 DDR4-2400 CL17 및 DDR4-2666 CL19의 대기 시간이 대략 동일하므로 더 빠른 속도를 갖춘 DDR4-2666 RAM은 더 나은 성능을 제공합니다
  • 예: DDR4-2666의 표준 모듈 및 게이밍 모듈의 속도 출력은 동일하지만 동일 모듈의 CL16과 CL19 모델 간의 CAS 대기 시간은 다릅니다. 따라서 더 낮은 CAS 대기 시간이 더 나은 성능을 제공합니다

대기 시간에 대한 인식과 진실 간의 격차는 대기 시간의 정의 및 측정 방식에 기인합니다.

대기 시간이 제품 전단지 및 사양 비교에서 지연 방정식의 절반에 불과한 CAS CL(대기 시간)에 명시되어 있기 때문에 종종 잘못 이해하곤 합니다. CL 등급은 총 클록 사이클 수만을 나타내며, 각 클록 사이클의 지속 시간과 아무 관련이 없으므로 대기 시간 성능의 유일한 지표로 포장되어서는 안 됩니다.

나노초 단위로 모듈의 대기 시간을 보면 실제로 한 모듈이 다른 모듈보다 응답성이 더 좋은지 가장 잘 판단할 수 있습니다. 모듈의 대기 시간을 계산하려면 클록 사이클 기간에 총 클록 사이클 수를 곱하십시오. 이 숫자는 모듈 데이터 시트의 공식 엔지니어링 문서에 기록됩니다. 이 계산식은 다음과 같습니다.

기본 수준에서 대기 시간은 명령이 입력된 시점과 데이터를 사용할 수 있는 시점 사이의 시간 지연을 나타냅니다. 대기 시간은 이 두 이벤트 사이의 간격입니다. 메모리 컨트롤러가 메모리의 특정 위치에 액세스하도록 지시할 때 데이터는 CAS(열 주소 스트로브)에서 여러 클록 사이클을 거쳐 원하는 위치에 도달하고 명령을 완료해야 합니다. 이를 염두에 두고 모듈의 대기 시간을 결정하는 두 가지 변수가 있습니다.

• 데이터가 실행해야 하는 클록 주기의 총 수(데이터 시트 상에 측정된 CAS 대기 시간 또는 CL)
• 각 클록 사이클의 기간(나노초 단위로 측정됨)

이 두 개의 변수를 결합하면 대기 시간을 계산할 수 있습니다.

대기 시간^(ns) =클록 사이클 시간^(ns) x 클록 사이클 수

메모리 기술의 역사에서 속도가 증가함에 따라(클록 사이클 시간이 감소했음을 의미함) CAS 지연 시간 값도 증가했지만 더 빠른 클록 사이클로 인해 나노초로 측정된 실제 대기 시간은 거의 동일하게 유지되었습니다. 프로세서가 수행할 수 있는 최대 속도와 예산 내에서 사용 가능한 가장 낮은 대기 시간 메모리 간의 균형을 최적화함으로써 더 새롭고 더 빠르고 효율적인 메모리를 사용하여 더 높은 수준의 성능을 달성할 수 있습니다.

Crucial 성능 랩의 심층 엔지니어링 분석과 광범위한 테스트를 기준으로 하는 이 전통적인 질문에 대한 답은 둘 다입니다! 속도와 대기 시간은 모두 시스템 성능에 중요한 역할을 하므로 업그레이드를 고려할 때 다음을 권장합니다.

• 1단계: 프로세서와 마더보드(오버클로킹 프로필 포함)에서 지원하는 최고 메모리 속도를 확인합니다.
• 2단계: 해당 속도에 대해 예산에 맞는 가장 낮은 대기 시간을 지닌 메모리를 선택합니다. 우수한(예: 더 낮은) 대기 시간이 곧 우수한 시스템 성능을 의미한다는 것을 기억하세요.